MP5522型系列盖革模式InGaAs 单光子雪崩光电二极管
2 产品特性The features
专为单光子探测应用设计,盖革模式工作
响应光谱范围1000nm-1650nm
2 应用领域Applications
量子通信
时间相关单光子计数
光时域反射计
3D 成像
激光测距
DNA测序
光学相干层析
荧光检测及其光谱分析
光电性能The opto-eletronic characteristics
静态参数(@Tc=22±3℃) |
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特性参数Parameters | 符号 Sym. | 测试条件Test conditions | 最小Min | 典型Typ | 最大 Max | 单位 Unit |
光谱响应范围 Response Spectrum | λ | — | 1000~1650 | nm |
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响应度 Reponsivity | Re | λ=1.55μm,VR=VBR-2V,φe=1μw | 10 |
| 14 | A/W |
反向击穿电压 Reverse breakdown voltage | VBR | ID=10mA,Tc=22℃ | 65 |
| 75 | V |
工作电压温度系数 Operating voltage temperature coefficient | γ | Tc=-60~+30℃,ID=10mA |
| 0.1 |
| V/℃ |
暗电流 Dark current | ID | φe=0μw,VR=VBR-2V |
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| 3.0 | nA |
结电容 Total capacitance | Ctot | 1MHz,VR=VBR-2V |
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| 0.2 | pF |
盖革模式下性能参数 |
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参数 Parameter | 测试条件 Test conditions | MP5512Y/MP5522Y | MP5513Y/MP5523Y | 单位 Unit |
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最小值 Min | 最大值Max | 最小值Min | 最大值Max |
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暗计数率(DCR) | fgate=50kHz,Tgate=10ns,SPDE=10% |
| 10 |
| 3 | kHz |
单光子探测效率(SPDE) | fgate=fpulse=50kHz,Tgate=10ns, DCR=10kHz,λ=1.55μm, 0.1 photon per pulse | 10 |
| 20 |
| % |
后脉冲概率(APP) | @2us, fpulse=50kHz, Tgate=10ns, SPDE=10%, λ=1.55μm, 0.1 photon per pulse |
| 2 |
| 2 | % |
测试条件补充说明: 1 MP5512Y/MP5522Y测试温度为TA= -35℃,MP5513Y/MP5523Y测温度为TA= -43℃ 2过偏压Vob范围:1.0~2.0V 3直流工作电压Vdc范围:(Vbr-1V)~(Vbr-2V) 以上数据仅供参考,用户需要根据实际的应用来选择适合的工作条件。 |
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2 最大额定值Maximum ratings
参数 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
正向电流 Forward current | 连续方式 |
| 1 | mA |
正向电压 Forward voltage | 连续方式 |
| 1 | V |
反向电流 Reverse current | 连续方式 |
| 1 | mA |
反向电压 Reverse voltage | 连续方式 |
| Vbr+5 | V |
脉冲方式 |
| Vbr+10 |
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入射光功率Optical Power | 连续方式 (CW) |
| 1 | mW |
贮存温度 storage temperature |
| -55 | 85 | ℃ |
2
典型特性曲线The typical characteristical curve
Fig. 1 DCR and APP vs Tempearture of the MP5522Y/MP5512Y when PDE=10%
图1 MP5522Y/MP5512Y PDE=10%时,温度对暗计数率和后脉冲概率的影响
Fig.2 Photocurrent and dark current vs reverse voltages of the MP5522Y/MP5512Y
图2 MP5522Y/MP5512Y光电流-暗电流曲线
2 封装外形及尺寸The package
1. MP5512Y/MP5513Y
2. MP5522Y/MP5523Y
2 引脚定义
管脚 | 符号 | 功能定义 |
1 | P | P(anode) |
2 | G | Case Ground |
3 | N | N (cathode) |
2 注意事项The cautions
— 该器件需要温度反馈工作电压控制
This device needs feedback of voltage temperature when operating.
— 贮运、使用注意静电保护措施
The suitable ESD protecting mersures are recommended in storage, transporting and using.
— 光纤弯曲半径不小于20mm
The fiber bending radius no less than 20mm for avoiding fiber damaged.
— 使用前保证光纤连接处洁净
Be sure the fiber coupling facet is clean before connecting it to opto-circuit.
InGaAs 单光子雪崩光电二极管, MP5522
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