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InGaAs PIN光电二极管MPGT3565T
产品简介:
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ800μm,φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm,φ5000μm等光敏面积直径的系列产品,可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。
产品特点:
■ 平面正照结构
■ 低暗电流
■ 高响应度
■ 高可靠性、宽光谱响应范围。
光电性能(@TC=22±3℃)
特性参数
符号
测试条件
最小
典型
最大
单位
光谱响应范围
λ
-
900~1700
nm
光敏面直径
φ
5000
um
响应度
Re
λ=1.31μm,VR=5V,φe =10μw
0.75
A/W
λ=1.55μm,VR=5V,φe =10μw
0.80
反向击穿电压
VBR
I R =10μA
20
V
暗电流
ID
V R =5V
200
nA
总电容
C
1.5
nF
分流阻抗
RSh
V R =10mV
1
MΩ
最大额定值
参数
工作电压
5
最大耗散功率
100
mW
正向电流
10
mA
工作温度
-40~70
℃
焊接温度
260(10秒)
存储温度
-40~85
典型特性曲线及应用电路
封装外形、尺寸及引脚定义
引脚定义见左图
引脚定义:
特性曲线:
使用方法及注意事项:
◆ 器件在零偏下使用。◆ 使用中防止剧烈震动、冲击,以免透镜损坏。◆ 在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。◆ 在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施,以免器件失效。
产品应用:
■ 光功率计量、测量、监控
■ 激光几何特性、光谱特性测量
■ 自由空间光探测、接收
■ 工业监控、医用、食品等应用。
InGaAs PIN光电二极管MPGT3565T, MPGT3565T
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