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霍尔效应测试系统依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数:载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括Si、ZnO、SiGe、SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量),广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
霍尔效应测试系统产品特点
自主知识产权产品。
采用高精密度恒流源和电压表,确保仪器测试的良好准确度和高稳定性,性能优越。
自动控制磁场方向的改变,更加方便准确。
样品装夹方式快速方便,且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。
产品工业外观采用一体化、精密化设计,融入人性化的设计理念,不仅赏心悦目而且操作方便。
智能化的用户界面操作简单,功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验,使测试过程更加方便快捷。
霍尔效应测试系统技术参数
型号
HET-RT
HET-HT
磁场强度
6800Gs
5000Gs
磁场稳定性
±2%/每年
温度范围
RT
100K~600K(可连续变温)
温控精度
\
±0.5K
输出电流
100pA-100mA
迁移率
1-107cm2/Volt-sec
阻抗
10-6 -107?·CM
载流子浓度
107 -1021cm-3
样品测量板
样品边长5-20mm,厚度10nm-3mm
样品边长5-15mm,厚度10nm-1mm
主机尺寸
570x545x380,单位mm
重量
50kg
80kg
霍尔效应测试系统测试实例
山东大学钛酸锶陶瓷样品测试结果
太原理工硅化镁样品测试结果
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