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LINOS 普克尔盒
LINOS提供基于KD*P晶体、BBO晶体、RTPC晶体和LN晶体的各类普克尔盒产品,适用用波长范围广,损伤域之高,消光比优良。标准产品如下表所示:
Fig.1 Linos 普克尔盒
KD*P普克尔盒特性:(1)高氘化率:> 98% (2)波前畸变:<λ/4 (3)损伤阈值 : > 500 MW/cm2 @ 1064 nm, 10 ns, 1 Hz (下同)(典型值,非保证值)(4)普通型,水浸型 (IM) 或者溶胶型 (SG) 版本可选 可选项:λ/4 波片
典型参数表:
晶体类型
通光孔径( mm )
透过率 (%)
消光比( 无外加电压 )
λ/4 电压(kV)@1064nm
电容值( pf )
KD*P
? 3.5-? 15
不同通光孔径84-99
500:1-3000:1
3.2
4-8
BBO普克尔盒特性:(1)带压电衰减器 (2)适合作为高重复率Q开关 (3)波前畸变:<λ/4 (4)损伤阈值> 300 MW/cm2
BBO
?2.6、?3.6、?4.6、?5.6
98
> 1000:1
1.8、2.4、3.0、3.6
3.6、4.8、6.0
4/8
RTP普克尔盒特性:(1)波前畸变:<λ/4 (2) 适合作高重复率Q开关(3)损伤阈值:> 600 MW/cm2
RTPC
?2.6、?3.6
>200:1
0.5、1.3、0.65
3
LiNbO3普克尔盒特性:(1)晶体波前畸变:<λ/4 (2)损伤阈值:> 100 MW/cm2
LiNbO3
7.45 x 7.45、9 x 9、5 x 5
98、99
>100:1
3、4.5、1.9 (+15-10 %) @2 μm
-
安装座
?紧凑和稳定型设计?可轻松调整俯仰、偏航和旋转?拥有精细螺纹调节?可兼容上至 35 mm的普克尔盒
?用于 OEM 的特殊结构也可提供
普克尔盒, KDP BBO
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