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产品名称:
InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜(dia3”InP/InGaAs/InP EPI on InP <100>)
产品参数:
薄膜生长方法:MOCVD deposition
基底参数:N型掺S, InP:S [100]±0.5°, Nc=~5E18/cc
薄膜InP:1um 厚;N型掺Si;Nc=~5E15/cc
薄膜In0.53Ga0.47As:3.0±0.5μm 厚; N型不掺杂, Nc=1E15-1E16/cc
薄膜InP(top):1um thick InP film, N型掺Si, Nc=1E15-1E16/cc
常规尺寸:
dia3” x650±25um
标准包装:
1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
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