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产品名称:
Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜?P型掺Mg
(Al0.1GaN0.9?epitaxial?template?on?Sapphire??P?type?)
常规尺寸:
dia2"+ 200nm ±20nm
标准包装:
技术参数:
1000级超净室及100级超净纸真空包装或单片盒装
Al2O3晶向:
c-axis (0001) +/- 1.0 o
导电类型:
P型掺Mg
薄膜厚度:
200nm ±20nm;产品级;
正面情况(front surface finish Ga face ):
As-grown
反面情况Back Surface Finish Sapphire ):
as-received finish
可用区域:
>90% ;Edge Exclusion Area 1mm
数据图:
详细数据图请点击
Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜, Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜
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