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产品名称:
Si+Si3N4薄膜(进口料Silicon Nitride Film (PE-CVD) on Front Polished Side of Silicom Wafer P type doped B)
常规尺寸:
dia 4" +/- 0.5 mm x 0.525 +/- 0.025 mm
标准包装:
技术参数:
1000级超净室100级超净袋真空包装、单片盒或插盒
Si参数:
晶向:<100>±0.5°;
掺杂类型:P型掺B;
电阻率:<0.02 ohm-cm;
抛光:单抛;
Si3N4参数:
生长方法:low stress PE-CVD method
薄膜厚度:100nm +/- 8%
镀膜情况:Si3N4 covers front polished side of Silicon wafer ONLY
Si+Si3N4薄膜, Si+Si3N4薄膜
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