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产品名称:
Al2O3镀GaN薄膜(进口Si-doped?GaN?(0001)?Epitaxial?Template?on?Sapphire?N+type)
技术参数:
GaN类型:N 型掺SiGaN
薄膜厚度:<0001> 5um ±1umGaN
电阻率:<0.02 Ohm-cmGaN
载体浓度Carrier concentration:5x10^17-1x10^19/cc
正面 Front surface:Ga-faceAl2O3
参数:<0001> miscut: 0.3 deg +/- 0.1 deg toward M plane,单抛
产品尺寸:
dia 4inch +/- 0.25mm
标准包装:
1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒
Al2O3镀GaN薄膜,Al2O3镀GaN薄膜
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