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产品名称:
InSb?P型掺Ge
技术参数:
生长方法:LEC
晶向:<100>±0.5°
载流子浓度:(0.05-0.50)x10^17/cc
Mobility:> (4.0-8.4)x10^3 cm2/Vs
EPD:<200 /cm2
尺寸:dia2"x0.45mm
抛光:单面抛光
常规尺寸:
<100> dia2"X0.45mm 单抛
标准包装:
1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒
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