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产品名称:
氮化镓(GaN)薄膜
氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。
技术参数:
常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型
注:可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。
产品定位C轴<0001>±1°
传导类型N型;半绝缘型;P型
电阻率R<0.05 Ohm-cm;半绝缘型R>106 Ohm-cm
位错密度<1x108 Cm-2
表面处理(镓面)AS Grown
有效值<1nm
可用表面积>90%
标准包装:
氮化镓(GaN)薄膜,氮化镓(GaN)薄膜
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