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InP上镀InGaAs薄膜半绝缘）进口料

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参数

产地类别：进口

供应商性质：生产商

产品介绍

产品名称：	?InP上镀InGaAs薄膜?半绝缘进口料（InGaAs?EPI?on?InP,Semi-insulating）
常规尺寸：	dia 2"

InP晶向：	<100>
掺杂类型：	掺Fe ；半绝缘型
电阻率：	>1x10^7)ohm.cm
InP EPD：	<1x10^4 /cm^2
薄膜参数：	Lattice matched In/Ga alloy layer of N-type InGaAs(Si-doped)
薄膜Nc:	>2x10^18 /cc
薄膜厚度：	0.5 um (± 20%)
生长方法：	MOCVD deposition
抛光:	双面抛光

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