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产品名称:
氮化铝(AlN)薄膜
产品简介:
AllN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法,用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询!
技术参数:
尺寸 dia50.8mm±1mm蓝宝石衬底取向 c轴(0001)±1.0deg
衬底: Al2O3;SiC;GaN
薄膜厚度:10-5000nm
导电类型: 半绝缘型位错密度:XRD FWHM of <0002><500arcsec;XRD FWHM of <10-12><1500arcsec;有效面积:>80%
抛光:单抛光
产品规格:
氮化铝(蓝宝石衬底):dia2"*1500nm±10%
注:可根据客户需求定制特殊的方向和尺寸。
标准包装:
1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
氮化铝(AlN)薄膜,氮化铝(AlN)薄膜
氮化铝(AlN)薄膜信息由合肥科晶材料技术有限公司为您提供,如您想了解更多关于氮化铝(AlN)薄膜报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
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