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产品名称:
氮化镓(GaN)晶体基片
产品简介:
GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。
技术参数:
产品规格:
晶体方向: <0001>;常规尺寸:dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um;
注:可按照客户要求加工尺寸及方向。
氮化镓(GaN)晶体基片, G-a-N
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