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产品简介:GSL-PECVD-300化学气相沉积采用等离子体增强型化学气相沉积技术,基本温度低,沉积速率快,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂,适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件,可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
产品型号
GSL-PECVD-300化学气相沉积
安装条件
本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。
1、水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水)
2、电:AC380V 50Hz,必须有良好接地
3、气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备实验所需气体气瓶(自带?10mm双卡套接头)及减压阀
4、场地:设备尺寸2200×2000mm×1500mm,承重1000kg以上
5、通风装置:需要
主要特点
1、所需成膜温度低
2、沉积速率快,应用广泛
3、体积小,操作简便
4、采用射频为增强源易于控制
5、清理安装便捷。
6、一体化触摸屏控制
技术参数
1、系统采用单室筒式结构,手动前开门;2、真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造(304),氩弧焊接,表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理配有可视观察窗口,并带挡板,真空有效尺寸为Φ300mm×300mm;3、极限真空度:≤6.67x10-4Pa (经烘烤除气后,采用600L/S分子泵抽气,前级采用4L/S);系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa,40分钟可达到; 停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa;4、采用样品在下,喷淋头在上的电容式耦合方式进气;5、样品加热最高加热温度:500℃,温控精度:±1°C,采用控温表进行控温;6、喷淋头尺寸:Φ90mm,喷淋头与样品之间电极间距40-100mm在线连续可调(可根据工艺调整),并带有标尺指数显示;7、 沉积工作真空:0.133-133Pa(可根据工艺调整);8、射频电源:频率 13.56MHz,最大功率500W,全自动匹配;9、.气体种类(用户提供),使用质量流量控制器控制进气。
10、系统设有尾气处理系统(用户自备)。
产品规格
整机尺寸:1200x1500x1500mm;
标准配件
1
电源控制系统
1套
2
真空机组
3
真空测量
GSL-PECVD-300化学气相沉积, GSL-PECVD-300
GSL-PECVD-300化学气相沉积信息由沈阳科晶自动化设备有限公司为您提供,如您想了解更多关于GSL-PECVD-300化学气相沉积报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
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