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NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述:NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到至大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有*气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求,无论是等离子强度、均匀度,还是要分别激活某些活性组份,这样系统可以覆盖z广的可能性来获得各种沉积参数。
NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用:
1. 等离子诱导表面改性:就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)
2. 等离子清洗:去除有机污染物
3. 等离子聚合:对材料表面产生聚合反应
4. 沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石),以及其它薄膜
5. CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。
特点:
· 台式系统
· 不锈钢或铝制腔体
· 极限真空可达10-7Torr
· RF淋浴头,HCD或微波等离子源
· 高达12”(300mm)直径的样品台
· RF射频偏压样品台
· 水冷样品台
· 可加热到的800 °C样品台
· 加热的气体管路
· 加热的液体传送单元
· 抗腐蚀的涡轮分子泵组
· 1路载体气体以及3路反应气体,带MFC
· 基于LabView软件的PC计算机全自动控制
· 菜单驱动,4级密码访问保护
· 完整的安全联锁
NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统, NPE-3000
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NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可达6" 基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵,真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
NANO-MASTER的微波PECVD系统产品顺利应用于中科院深圳先进技术研究院,该系统即将配套远程微波等离子源,带直流偏压,支持高达900度的样品台加热,提供精确的控温,该系统可以支持石墨烯和CNT碳纳米管阵列。 根据客户要求,配套的远程微波源将真正实现对所沉积薄膜的无损伤。高温可以支持碳类薄膜的应用,在等离子作用下,实际的应用温度将得以大大降低。系统将采用计算机全自动的工艺控制,配套的软件将方便用户实现高重复性地沉积应用。该系统所
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