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LE-103PV激光型椭偏仪基于椭圆偏振测试技术,通过测试线偏振光经过样品反射后偏振态振幅和相位的改变,建立样品相应光学模型,计算出薄膜的厚度、折射率和消光系数。
LE-103PV是Semilab针对光伏市场推出的一款低成本、高集成度的革新型产品,主要应用于测试具有绒面结构的晶体硅减反射膜的厚度和光学特性。测试软件操作简单、界面友好、所使用的光学模型与Semilab全光谱椭偏仪丰富的数据库相兼容,方便用户根据实际测试需求建立专ye的测试菜单。
可测量减反射膜厚度、折射率和消光系数等光学特性
稳定、可自动校准的集成光路
优化设计的156mm多晶和单晶测试平台,方便用户转换单晶和多晶测量
自动变换入射角的设计提高了测试精度,并可实现表面特征雾度(Haze)的测试
采用旋转补偿器测量Psi(0~90°)和Delta(0~360°),可提供更高的测量灵敏度,同时可计算由粗糙表面引起的退偏系数
聚焦微光斑系统优化了反射信号的采集
可集成到在线测量系统,实现快速的在线监控
测试软件兼容PVECS
太阳能电池片减反射膜的厚度、折射率和消光系数测试
二氧化硅等介质膜的厚度、折射率和消光系数测试
透明材料的光度学测试
激光波长: 632.8nm He-Ne激光器
测量时间: 100ms-2sec
膜厚测量范围: 2nm-6000nm(基于SiO2)
厚度测试精度: 0.01nm @120nm SiO2 on Si
折射率测试精度:0.0005 @120nm SiO2 on Si
WT-2000MCT是针对窄禁带半导体材料设计的温度寿命测试系统,可选择不同的测试模式,适用于多种窄禁带半导体材料。
少数载流子复合寿命通常是温度的函数
窄禁带半导体在室温下其非平衡载流子处于热激发状态
可测样品: HgCdTe, InSb, GaAs, etc.
LE-103PV 激光型椭偏仪(Laser Ellipsometer),LE-103PV 激光型椭偏仪(Laser Ellipsometer)
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KS B 4074-1972(2011) 椭偏仪
JJF 1932-2021 椭偏仪校准规范
IEC/TR 63258:2021 纳米技术.评估纳米薄膜厚度的椭偏仪应用指南
DANSK DS/ISO 23131:2021 椭偏仪 原理
NF EN ISO 23131:2022 椭偏仪 - 原理
BS EN ISO 23131:2022 椭偏仪 原则
DIN EN ISO 23131:2023-01 椭偏仪 原理
IEC TR 63258:2021 纳米技术 用于评估纳米级薄膜厚度的椭圆偏光应用指南
IEC TR 63258:2021 纳米技术.评估纳米薄膜厚度的椭偏仪应用指南
DIN EN ISO 23131 E:2022-08 椭偏仪 原理(草案)
UNE-EN ISO 23131:2023 椭偏仪 原理 (ISO 23131:2021)
DIN EN ISO 23131:2023 椭偏仪 原理 (ISO 23131:2021)
20/30400313 DC BS ISO 23131 椭偏仪 原则
DIN 50989-1 E:2017-04 椭偏仪 第1部分:原理
DIN 50989-2:2021-04 椭偏仪 第2部分:散装材料模型
DIN 50989-3:2022-04 椭偏仪 - 第 3 部分:透明单层模型
DIN 50989-6:2023-03 椭偏仪 第6部分:有效材料模型
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