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Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀


离子刻蚀机

某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀.

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Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台.

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:

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Ф4 inch X 6片

基板尺寸

< Ф3 inch X 8片< Ф4 inch X 6片< Ф8 inch X 1片

样品台

样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转

离子源

20cm 考夫曼离子源

均匀性

±5% for 8”Ф

硅片刻蚀率

20 nm/min

温度

<100

 

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

离子源型号

RFICP 220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

 

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量.

 

运用结果:

1. 有效去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率

2. 晶圆的均匀度得到良好提高

3. 晶圆的加工质量得到明显提高

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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