伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 用于镀制 TiN薄膜

传统磁控溅射制备工艺存在一个突出的问题, 当离子能量较低时,在溅射沉积过程中会发生 “遮蔽效应”, 会使薄膜结构疏松, 产生孔隙等缺陷, 这直接影响着薄膜的性能.

为提高制备薄膜的致密度, 减少结构缺陷, 提高耐蚀性能, 国内某光学薄膜制造商采用伯东 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 140 用于磁控溅射镀制 TiN 薄膜.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:

客户采用离子源辅助磁控溅射镀膜技术在 304 不锈钢和 P 型(100)晶向硅片上制备TiN纳米薄膜.

推荐理由:

聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

运行结果：

1. 通过KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 140 溅射作用将优先形成的遮蔽效应, 制备的薄膜具有较高致密度.

2. 减少结构缺陷

3. 提高耐蚀性能

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

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