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伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术获取高反射吸收Ta2O5薄膜


离子源

伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术获取高反射吸收Ta2O5薄膜

为了获取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射沉积技术镀制 Ta2O5 薄膜进行研究.

 

其系统工作示意图如下:

 

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该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台等部分组成.

 

其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗.

 

用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 其参数如下:

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伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP 380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 

推荐理由:

聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

 

用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000

 

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:

离子源型号

 

霍尔离子源

eH3000eH3000LOeH3000MO

Cathode/Neutralizer

HC

电压

50-250V50-300V50-250V

电流

20A10A15A

散射角度

>45

可充其他

Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

气体流量

5-100sccm

高度

6.0“

直径

9.7“

水冷

可选

 

其溅射室需要沉积前本底真空抽到 1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组  Hicube 80 Pro, 其技术参数如下:

进气法兰

氮气抽速 N2,l/s

极限真空 hpa

前级泵

型号

前级泵抽速 m³/h

前级真空安全阀

DN 40 ISO-KF

35

< 1X10-7

Pascal 2021

18

AVC 025 MA

 

运行结果:

伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术可以制备不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O5 薄膜.

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵检漏仪质谱仪真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

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若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.twwww.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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