应用案例——半导体材料行业

    痕量金属的检测和定量是半导体工业中的一个重要分析任务。

    TOF-SIMS能够以同位素灵敏度检测所有元素（即使是轻质元素）。

    高质量分辨率，高质量精度和良好的信噪比可使灵敏度达到1E7至1E9 atoms/cm²。

    该技术可应用于带图案的硅片，甚至硅片的背面，也不会降低灵敏度。

    该技术通过使用外部标准进行定量，其准确度与其他技术（如TXRF或ICP-MS）相当。

    超浅层深度分析的典型应用领域是SIMS在半导体行业应用的经典课题。

    这里主要感兴趣的是低能量硼、磷和砷注入的分析，而且分析超浅层栅极氧化物和检测自然氧化物中的微量元素都要求在低能量溅射下具有优异的灵敏度。

    该技术可以平行检测所有质量，因此也能同时测量到注入的F以及金属污染物，例如铝。因此，该技术非常适用于筛查和区分。

SiO₂

PO₃

    例图显示了五种不同的LEIS光谱，其WNxCy在硅片上沉积的循环次数逐步增加。

    通过监测渐减的硅信号和渐增的钨信号，可以清楚地看到，要形成闭合的WNxCy薄膜，40次ALD沉积循环是必要的。

    在WNxCy SiOx表面谱上，钨信号峰峰形的低能量侧揭示了在WNxCy完全覆盖SiOx基底之前WNxCy的多层岛式生长情况。

    通过测量能量损失，可以计算得到亚纳米精度的薄膜最小和最大厚度。

    通过分析渐增沉积循环次数时的深度信号变化，可以确定薄膜的生长模式。

     OLED技术用于便携式设备，如手机，便携式音乐播放器，汽车收音机等。

    目前最突出的技术问题之一是有机材料的有限寿命。

    因此研究不同有机层的化学成分是非常重要的。