材料与微电子学

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由于二维材料只有一个原子或分子层，通过其层间形成的晶体管对特征尺寸下降到1 nm尺度带来了理论上的可行性。选定双层胶金属剥离工艺，使用双层胶剥离工艺制作出的电极未出现掉落，边缘整齐。在激光直写制作电极的工艺完善基础上，进行了二维材料 WS2的制备。采用化学气相沉(CVD)的方式制备了二维材料WS2。其后，使用特殊的转移方法将生长在SiOz/Si衬底上的二维材料转移到AlO:/SiOe/Si衬底。

在材料与激光直写工艺完善的基础上，AlzO:/SiOz/Si衬底上制作了晶体管器件，并对制作的器件进行了晶体管性能的测试，根据测试结果计算出了晶体管的基本参数，并对这些参数进行了相关的分析。晶体管开关比最大约为105，从开关比来看具有一定的应用前景。

碳化钼

块状碳化钼的合成有多种途径，但以纳米线和纳米线网络形式大量生产不同的碳化钼相仍然具有挑战性。此处为一种利用Mo6S2I8纳米线束进行碳化合成碳化钼纳米线的新方法。到了主要由MoC和Mo2C相组成的碳化钼纳米线，并将其进一步还原为单相Mo2C纳米线。通过控制反应条件在转化过程中，我们可以改变纳米线中MoC和Mo>C相的比例生产一种新型无机/有机复合纳米材料，我们将其命名为碳化钼纳米线，其表面密集覆盖着碳纳米纤维。我们在纳米线上使用了相同的方法，并演示了以纳米线网络形式作为透明电极的碳化钼的新用途。

这种坚固和空气稳定的电极的片层电阻是围绕的1050Q，室温和透光率的范围在93%至95%之间200 - 900 nm。因此，该电极适用于电光应用，特别是在需要高透明度的紫外线区域。