全波长(可见光)椭偏仪

应用：
太阳能电池
SiNx减反膜工艺
TiO2减反膜工艺
复合SiNx减反膜工艺
SiO2钝化工艺
复合SiNx/ SiO2减反膜工艺
SiO2掩膜工艺
TFT-LCD
SIOx，SiNx，a-Si:H，N+a-Si…
SEMI
High-k：AL2O3，SiO2，Si3N4，SiNx…
LOW-k：SiOC，SiOF，SOG，BPSG…
OLED
AlQ3，CuPc…
软件特征：
整合量测、分析、计算 操作模式安全化 同步原始数据呈现
硬件特征：
高稳定性氙灯光源
高解析度光栅式单色仪
波长范围：350~850nm
波长解析度：1nm，精度：0.5nm
三格林泰勒棱镜偏振系统
波长：260~1800nm
消化比：＞105
发散角：≤3mrad
真空吸附载物台
自动连续入射角（零度校正）
高分辨率光电倍增管探测器
波长范围：185nm~900nm
暗电流：≤25 nA
自动电压增益控制系统（Vmax：1100v）

系统规格：
波长范围：350~850nm
入射角：30°~ 90°
解析度：±0.01°
待测样品尺寸：up to 200mm
精度：1200A SiO2标准片
厚度：（Tks）：±6A
折射率（N）：±0.01 at 632.8nm
重复性：1200A SiO2标准片
厚度(Tks)：±2.5A
折射率(N)：±0.005 at 632.8nm (5 times)
尺寸：140cm×50cm×60cm

应用：
太阳能电池
SiNx减反膜工艺
TiO2减反膜工艺
复合SiNx减反膜工艺
SiO2钝化工艺
复合SiNx/ SiO2减反膜工艺
SiO2掩膜工艺
TFT-LCD
SIOx，SiNx，a-Si:H，N+a-Si…
SEMI
High-k：AL2O3，SiO2，Si3N4，SiNx…
LOW-k：SiOC，SiOF，SOG，BPSG…
OLED
AlQ3，CuPc…
软件特征：
整合量测、分析、计算 操作模式安全化 同步原始数据呈现
硬件特征：
高稳定性氙灯光源
高解析度光栅式单色仪
波长范围：350~850nm
波长解析度：1nm，精度：0.5nm
三格林泰勒棱镜偏振系统
波长：260~1800nm
消化比：＞105
发散角：≤3mrad
真空吸附载物台
自动连续入射角（零度校正）
高分辨率光电倍增管探测器
波长范围：185nm~900nm
暗电流：≤25 nA
自动电压增益控制系统（Vmax：1100v）

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途