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| 参考报价： | 面议 | 型号： | KRI |
| 品牌： | 考夫曼kri离子源 | 产地： | 美国 |
| 关注度： | 暂无 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 供应商性质 | 区域代理 | 产地类别 | 进口 |
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发布时间：2023年09月
KRi 离子源常见工艺应用
通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可以对材料进行加工, 真空环境下, 实现沉积薄膜, 干式蚀刻和材料表面改性等工艺.
工艺应用 | 简称 |
In-situ substrate preclean 预清洁 | PC |
Ion-beam modification of material and surface properties | IBSM |
- Surface polishing or smoothing 表面抛光 | |
- Surface nanostructures and texturing | |
- Ion figuring and enhancement 离子计算和增强 | |
- Ion trimming and tuning 离子修整和调谐 | |
- Surface-activated bonding 表面激活键合 | SAB |
Ion-beam-assisted deposition 辅助镀膜 | IBAD |
Ion-beam etching 离子蚀刻 | IBE |
- Reactive ion-beam etching 活性离子束蚀刻 | RIBE |
- Chemically assisted ion-beam etching 化学辅助离子束蚀刻 | CAIBE |
Ion-beam sputter deposition 离子溅射 | IBSD |
- Reactive ion-beam sputter deposition 反应离子溅射 | RIBSD |
- Biased target ion-beam sputter deposition | BTIBSD |
Direct deposition 直接沉积 | DD |
- Hard and functional coatings |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi考夫曼公司离子源中国总代理.
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