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日立 IM4000PLUS离子研磨仪器

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参考报价: 面议 型号: IM4000PLUS
品牌: 日立 产地: 日本
关注度: 490 信息完整度:
样本: 暂无样本 典型用户: 暂无
产地属性亚洲

IM4000PLUS是支持断面研磨和平面研磨(Flat Milling®*1)的混合式离子研磨仪器。借此,可以用于适用于各种诸如对样品内部结构观察和各类分析等,为评价目的样品的制作。

  • *1平面研磨(Flat Milling®)是位于日本国内的日立高新技术有限公司的注册商标。

特点

高通量的断面研磨

配备断面研磨能力达到500 µm/h*2以上的高效率离子枪。因此,即使是硬质材料,也可以高效地制备出断面样品。

  • *2

  • 在加速电压6 kV下,将Si从遮挡板边缘伸出100 µm并加工1小时时的最大深度

断面研磨

  • 即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所构成的复合材料,也可以制备出平滑的断面样品

  • 优化加工条件,减轻损伤

  • 可装载最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的样品

断面研磨的主要用途

  • 制备金属以及复合材料、高分子材料等各种样品的断面

  • 制备用于分析开裂和空洞等缺陷的断面

  • 制备评价、观察和分析所用的沉积层界面以及结晶状态的断面

断面研磨加工原理图
断面研磨加工原理图

平面研磨(Flat Milling®)

  • 均匀加工成直径约为5mm的范围

  • 可运用于符合其目的的广泛领域

  • 最大可装载直径50 mm × 厚度25 mm的样品

  • 可选择旋转和摆动(±60度~±90度的翻转)2种加工方法

平面研磨(Flat Milling®)的主要用途

  • 去除机械研磨中难以消除的细小划痕和形变

  • 去除样品的表层

  • 消除FIB加工的损伤

平面研磨(Flat Milling&reg)加工原理图
平面研磨(Flat Milling®)加工原理图

与日立SEM的样品结合

  • 样品无需从样品台取下,就可直接在SEM上进行观察。

  • 在抽出式的日立SEM上,可按照不同的样品分别设置截面、平面研磨杆,因此,在SEM上观察之后,可根据需要进行再加工。


功能

冷却温度调节功能*1

附冷却温度调节功能的IM4000PLUS
附冷却温度调节功能的IM4000PLUS

该功能可有效防止加工过程中,由于离子束照射引发的样品的温度上升,所导致样品的溶解和变形。对于过度冷却后会产生开裂的样品,通过冷却温度调节功能可防止其因过度冷却而产生开裂。

  • *1 此调节功能不是IM4000PLUS的标配功能,而是配有冷却温度调节功能的IM4000PLUS功能。

样品:铅焊料

常温研磨
常温研磨

冷却研磨
冷却研磨


选项

大气隔离样品杆

大气隔离样品杆,可让样品在不接触空气的状态下进行研磨。
密封盖将样品密闭,进入真空排气的样品室后,打开密封盖。如此,离子研磨加工后的样品可以在不接触空气的状态下直接设置到SEM*1、FIB*1、AFM*2上。

  • *1

  • 仅支持附带大气隔离样品更换室的日立FE-SEM和FIB。

  • *2

  • 仅支持真空型日立AFM。

锂离子电池负极(充电后)

大气暴露
大气暴露

大气隔离
大气隔离

IM4000/IM4000PLUS

用于加工时观察的立体显微镜

IM4000、IM4000PLUS通过设置在样品室上方的立体显微镜,可观察到研磨过程中的样品。
如果是三目型,则可以通过CCD摄像头*3进行监控观察。

  • *3

  • CCD摄像头以及监控器由客户准备。

三目型(用于连接CCD摄像头)/用于加工时观察的立体显微镜(双目型)


观察示例

断面研磨

如果是大约500 µm的角型的陶瓷电容器,则可以3小时内制备出平滑的断面。

样品:陶瓷电容器

低倍图像
低倍图像

放大图像
放大图像

即使硬度和成分不同的多层结构材料,也可以制备断面。

样品:保险杠涂膜

低倍图像
低倍图像

放大图像
放大图像

这是通过锂电池正极材料,断面研磨获得平滑截面的应用实例。
在SEM上观察到的具有特殊对比度的部位,从SSRM(Scanning Spread Resistance Microscopy)图像来看,考虑为电阻低的部位。

样品:锂离子电池正极材料 样品制备方法:断面研磨

锂离子电池正极材料:二次电子像/SSRM图像

平面研磨(Flat Milling)

可以去除机械研磨所引起的研磨损伤和塌边,并可观察到金属层、合金层和无铅焊料的Ag分布。

样品:无铅焊料

机械研磨后
机械研磨后

平面研磨后
平面研磨后

因老化等变得脏污的观察面、分析面,通过平面研磨,也可以获得清晰的通道对比度图像和EBSD模式。

样品:铜垫片

平面研磨前/平面研磨后

 

规格

项目

内容

IM4000PLUS

IM4000PLUS

断面研磨杆

平面研磨杆

使用气体

Ar(氩)气

加速电压

0 ~ 6 kV

最大研磨速度(Si材料)

500 µm/hr*1 以上

-

最大样品尺寸

20(W)× 12(D)× 7(H)mm

Φ50 × 25(H) mm

离子束

标配

间歇照射功能

尺寸 

616(W)× 705(D)× 312(H)mm

重量 

机体48 kg+回转泵28 kg

附冷却温度调节功能的IM4000PLUS

冷却温度调节功能

通过液氮间接冷却样品、温度设定范围:0°C ~ -100°C

选项

空气隔离

仅支持断面研磨夹持器

-

样品夹持器

FP版断面研磨夹持器

100 µm/rotate*2

-

用于加工监控的显微镜

倍率 15 × ~ 100 × 双目型、三目型(支持CCD)

*1 将Si从遮挡板边缘伸出100 µm并加工1小时的最大深度

*2 千分尺旋转1圈时的遮挡板移动量。断面研磨夹持器比为1/5

注:该仪器未取得中华人民共和国医疗器械注册证,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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