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FIB-SEM三束系统 NX2000

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参考报价: 面议 型号: NX2000
品牌: 日立 产地: 日本
关注度: 138 信息完整度:
样本: 暂无样本 典型用户: 暂无
产地属性亚洲

追求最完美的TEM样品制备工具

在尖端设备及高性能纳米材料的评价和分析领域,FIB-SEM已成为不可或缺的工具。
近来,目标观察物更趋微细化;更薄,更低损伤样品的制备需求更进一步凸显。
日立高新公司,整合了高性能FIB技术和高分辨SEM技术,再加上加工方向控制技术以及Triple Beam®*1(选配)技术,推出了新一代产品NX2000


特点

运用高对比度,实时SEM观察和加工终点检测功能,可制备厚度小于20 nm的超薄样品

FIB加工时的实时SEM观察*2例
样品:NAND闪存
加速电压:1 kV
FOV:0.6 µm

加工方向控制技术(Micro-sampling®*3系统(选配)+高精度/高速样品台*)对于抑制窗帘效应的产生,以及制作厚度均一的薄膜类样品给予厚望。


加工方向控制


常规加工时

Triple Beam®*1(选配)可提高加工效率,并能使消除FIB损伤自动化

EB:Electron Beam(电子束)
FIB:Focused Ion Beam(聚焦离子束)
Ar:Ar ion beam(Ar离子束)


选配件

  • Ar/Xe离子束系统

  • Micro-sampling®*3系统

  • 缺陷检测设备联用软件

  • CAD联用导航软件

  • EDS(能谱仪)

  • TEM样品精加工向导

  • TEM样品厚度管理软件

  • 连续A-TEM

  • 实时画质优化系统

  • Swing加工功能(用于Triple Beam®*1)

  • 等离子清洗机

  • 真空转移机构

  • 冷台


规格

项目内容
FIB镜筒
分辨率4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
加速电压0.5~30 kV
束流0.05 pA ~ 100 nA
FE-SEM镜筒
分辨率2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV
加速电压0.5~30 kV
电子枪冷场场发射型
探测器
標準検出器In-lens 二次电子探测器/样品室二次电子探测器/背散射电子探测器
样品台X:0 ~ 205 mm
Y:0 ~ 205 mm
Z:0 ~ 10 mm
R:0 ~ 360°连续
T:-5 ~ 60°


注:该仪器未取得中华人民共和国医疗器械注册证,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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