原子层沉积系统(ALD)

仪器简介：
原子层沉积（ALD）简介： 
原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），zei初称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也称为原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种气相前驱体物种，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件的极佳工具。ALD的优点包括：1.可以通过控制反应周期数简单精确地控制薄膜的厚度，形成达到原子层厚度精度的薄膜 2.不需要控制反应物流量的均一性 3.前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜 4.可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层 5.可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物 6.薄膜生长可在低温（室温到400oC）下进行 7. 可广泛适用于各种形状的衬底。原子层沉积生长的金属氧化物薄膜用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，而生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。目前可以沉积的材料包括： 
氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, Y2O3, CeO2, Sc2O3, Er2O3, V2O5, SiO2, In2O3,... 
氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...  
氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...  
金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...  
碳化物: TiC, NbC, TaC, ...  
复合结构: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...  
硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...  
纳米薄层: HfO2/Ta2O5, TiO2/Ta2O5, TiO2/Al2O3, ZnS/Al2O3, ATO (AlTiO) ...  

ALD的应用包括： 

半导体领域：晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层（阻止掺杂剂的迁移），有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光(TFEL)元件，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属（MIM）电容器涂层 

纳米技术领域：中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，纳米催化，高高宽比纳米图形，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和憎水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层 


技术参数：
Savannah系列为热沉积ALD产品，包括：Savannah 100型、Savannah 200型、Savannah 202型。主要特点是：均匀性好、价格便宜、尺寸小、操作方便、节约前驱体。

主要技术指标：
基片尺寸：4英寸、8英寸；
加热温度：RT―450℃（可选配更高）；
均匀性： < +/- 1%；
前驱体数：2路（可选配6路）；
兼容性： 可兼容100级超净室；

FiJi系列为公司开发的第二代ALD产品，包括等离子体辅助沉积功能，包括：Fiji F200 LL型 、Fiji F200 DC型 、Fiji F200 DF型、Fiji F200 CL型。等离子体辅助沉积功能采用独特设计，避免了传统等离子体辅助沉积均匀性差的缺陷。主要特点是：均匀性好、等离子体辅助沉积功能、超高真空等。

主要技术指标：
基片尺寸： 8英寸；
加热温度：RT―700℃（可选配更高）；
均匀性： < +/-1%；
前驱体数：6路；
真空度： 可实现超高真空；

Phoenix系列主要是批量生产型设备，一次能够同时沉积50片8英寸晶片或者200片4英寸晶片。

主要技术指标：
基片尺寸： 370*470mm；
加热温度：200―300℃；
均匀性： <+/-1%；
前驱体数：2路；
兼容性： 可兼容100级超净室；





主要特点：
美国Cambridge NanoTech公司主要从事原子层沉积设备的研发和制造，该公司生产的原子层沉积设备是世界研究型ALD设备中的首选产品，目前用户已经超过１００家，大大超过其它所有研究型ALD厂家用户的总合，遍及世界各国顶级研究机构。国内用户包括北京大学和中科院物理所。用户发表了大量的高品质文章，包括Nature, Science, APL, Nano letter等顶级刊物。

该公司的创始人来自哈佛大学的Roy Gordon教授小组，具有丰富的ＡＬＤ相关经验；开发出的产品非常具有针对性和实用性，是现今zei成熟的ALD产品。与其它制造商不同，Cambridge Nanotech制造设备的同时也进行ALD材料生长的科学研究。可以提供Al2O3, HfO2, La2O3, Pt, Ru, SiO2, TiO2, WN, ZnO, ZrO2等众多材料具体沉积配方、工艺参数，为客户提供全方位的技术支持。

仕嘉科技（北京）有限公司专业的本土工程师能够提供zei方便快捷的售前、售中、售后服务，免除客户的一切后顾之忧。

主要产品型号有：Savannah系列、FiJi系列和Phoenix系列。

原子层沉积系统(ALD)信息由仕嘉科技(北京)有限公司为您提供，如您想了解更多关于原子层沉积系统(ALD)报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。

注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途