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NLD-3500 (M) 原子层沉积系统(ALD)

参考报价: 面议 型号: NLD-3500 (M)
品牌: 那诺-马斯特 产地: 美国
关注度: 53 信息完整度:
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NLD-3500(M)原子层沉积系统概述:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。


NLD-3500(M)原子层沉积系统特点:NLD-3500是一款紧凑型独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统,带Labview软件,具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计,并提供了强大的灵活性,可以用于沉积多种薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等)。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-3500系统提供12”的铝质反应腔体,带有加热腔壁和气动升降顶盖,非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸,用于前驱体以及反应物,同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。

选配:NLD-3500系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片),ICP离子源(用于等离子增强的PEALD),臭氧发生器,等等。


应用:

·         Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etc

·         Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..

·         Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.

·         Nano laminates纳米复合材料

 

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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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