400-6699-117转1000
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参考报价: | 面议 | 型号: | K2500 |
品牌: | MMR | 产地: | 美国 |
关注度: | 28 | 信息完整度: | |
样本: | 典型用户: | 暂无 | |
供应商性质 | 生产商 | 产地类别 | 进口 |
400-6699-117转1000
1. | 设备名称: | 霍尔效应测试仪 |
2. | 功能描述: | 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
3. | 设备明细: | |
3-1 | 测试范围: | Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
3-2 | 磁场: | |
3-2-1 | 磁场强度: | 0.5T 电磁体 (0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选) |
3-2-2 | 磁场类型: | 电磁体 |
3-2-3 | 磁场均匀性: | 磁场不均匀性<±1 % |
3-3 | 测试样品: | |
3-3-1 | 样品测试仓: | 全封闭、带玻璃窗口 |
3-4 | 温 度: | |
3-4-1 | 温度区域: | 80K ~730K |
3-4-2 | 温控精度: | 0.1K |
3-4-3 | 温控稳定性: | ±0.1 K |
3-5 | 电阻率范围: | 10-6~1013 Ohm*cm |
3-6 | 电阻范围: | 10 m Ohms~ 10G Ohms |
3-7 | 载流子浓度: | 102~1022cm-3 |
3-8 | 迁移率: | 10-2~109 cm2/volt*sec |
3-9 | 输入电流: | |
3-9-1 | 电流范围: | 0.1 pA~10mA |
3-9-2 | 电流精度: | 2% |
3-10 | 输入电压: | |
3-10-1 | 电压范围: | ±2.5V,最小可测到6×10-6V |
3-10-2 | 电压分辨率: | 3×10-7V |
3-10-3 | 电压精度: | 2% |
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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途