美国MMR K2500 变温霍尔效应测试仪器

MMR Hall Effect Measurement System

controlled continuously variable temperature

 MMR可控连续变温霍尔效应测试系统

1.  功能描述：   测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

2.  测试范围：   Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、        迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。

3.  磁场强度：   0.5T 电磁场，磁场强度可以定制选择

4.  温度区域:    70K ~730K；   80K ~580K；   80K ~730K；   300K ~730K

5.  电阻率范围：10^-6~10¹³ Ohm*cm

6.  电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms

7.  载流子浓度：10²~10²²cm^-3

8.  迁移率:   10^-2~10⁹ cm²/volt*sec

   仪器优点：

1.   采用van der Pauw法测试;

2.   最大可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一 

3.   配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自         动。测试数据能够方便的储存和导出;

4.   模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统;

5.    测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优;

6.   在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯            性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试

7.允许在一定气体环境下测试

8.提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻率

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途