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弘度科学仪器（上海）有限公司
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| 参考报价： | 140000 EUR（欧元） | 型号： | FT1030 15K~450K |
| 品牌： | PhysTech | 产地： | 德国 |
| 关注度： | 45 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 供应商性质 | 总代理 | 产地类别 | 进口 |
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HERA-DLTS
高能分辨率深能级瞬态谱（DLTS）
PhysTech在1990年推出了第一台数字DLTS，随着电脑技术的发展，使得在短时间内进行复杂计算成为可能。在纯指数发射过程模型的基础上，用各种数学模型分析测量到的瞬态过程，如傅里叶转换、拉普拉斯转换、多指数瞬态拟合、ITS（等温瞬态光谱）信号重叠法、温度扫描信号重叠法（重折叠）。与其他系统相比，HERA-DLTS具有无法比拟的能量分辨率。
半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。此设备根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。
特点：
自动接触检查
常规测试和加强软件
自动电容补偿
三终端FET电流瞬态测量
大电容和浓度范围
灵活性高、模块化硬件
支持各种冷却仓和温度控制器
傅里叶转换（F-DLTS），比例窗口和用户自定义校正功能
DLTFS（深层瞬态傅里叶光谱仪）评价
操作模式：
C-DLTS
CC-DLTS
I-DLTS
DD-DLTS
Zerbst-DLTS
O-DLTS
FET-Analysis
MOS-Analysis
ITS（等温瞬态光谱仪）
缺陷分析
俘获截面测量
I/V, I/V(T)理查森标绘图
C/V, C/V(T)
TSC/TSCAP
PITS（光子诱导瞬态谱）
DLOS(特殊系统)
规格：
分辨率： | 1*108 atoms/cm3 |
脉冲发生器 | |
| 电压范围： | ±20.4V（±102opt.） |
| 电压分辨率: | 0．625mV |
| 最大电流: | ＞±15mA |
| 脉冲宽度: | 1μs-1000s |
| 快速脉冲选配 | |
| 电容表 | |
| HF信号: | 100Mv@1MHz(20mV optional) |
| 范围[pF]: | 3,30,300,3000(自动或手动) |
| 电容补偿: | 0.1-3000 pF（自动或手动） |
| 灵敏度: | 0.01 fF |
| 电压测量 | |
| 范围: | ±10V |
| 灵敏度: | ＜1μV |
| 输入电阻: | 106Ohm |
| 可提供偏压补偿: | |
电流测试 | |
范围: | 5，从±1μA 到±10mA |
灵敏度: | ＜1pA |
| 可提供漏电保护 | |
| 瞬态记录 | |
样品速率: | 2μs到2000s |
样品数量: | 16-16384（opt.64k） |
可调节抗失真滤膜 | |
| 标准冷却仓 | |
| 温度范围: | 15K-450K或77K~800K |
| 温度扫描方式： | 使用28个不同的相关功能（软件）通过一次温度扫描，给出28个温度扫描信号。 |
| 典型性能（Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV） | |
| 灵敏度: | 10-7<NT/(ND-NA)<10-5 |
| 能量精度: | HT+/-3% |
| 能量分辨率: | 10meV |
| 发射率: | 10-3/s<en<104/s |
Options
Constant Capacitance
Optical Excitation
Fast Pulse Interface
±100 V Option
Multi Sample Interface
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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
