EVG 850 LT Bonding System for SOI Wafer Bonding 晶圆键合

EVG 850 LT

Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding

EVG 850LT   SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统

自动化生产键合系统，适用于多种融合/分子晶圆键合应用

晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，融合了熔合的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。

特征

利用EVG的LowTemp™等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种融合/分子晶圆键合应用       ；生产系统可在高通量，高产量环境中运行

盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）；         无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁；                    ；   机械平整或缺口对齐的预粘合

先进的远程诊断技术数据

晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预粘接室

对齐类型：平面到平面或凹口到凹口

对准精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°

结合力：zui高5 N

键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活

真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件）

LowTemp™等离子激活模块

2种标准工艺气体：N2和O2，以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和合成气（N2，Ar和H4含量zui高）

通用质量流量控制器：zui多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速zui高可达到20.000 sccm

真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹

咨询：182 6326 2536（微信同号）

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途