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原子层沉积(ALD)PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版Picosun

参考报价: 面议 型号: PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版
品牌: Picosun 产地: 欧洲
关注度: 暂无 信息完整度:
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AI问答
可以做哪些实验,检测什么? 可以用哪些耗材和试剂?
PICOSUN原子层沉积系统ALDR-200基础版(PICOSUN™ALDR-200Standard)
名称:原子层沉积系统
产地:芬兰
Picosun简介
Picosun是一家全球公司,总部位于芬兰的Espoo,生产设施位于芬兰的Masala(Kirkkonummi)。
PICOSUN®ALD设备专为高产量和高产量而设计,并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强,客户包括各种规模的电子制造商、小型的创新型挑战者以及全球领先的大学。Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。
PICOSUN®研发工具具有独特的内置可扩展性,可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中,而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案,从而引领行业发展时,Picosun是您的合作伙伴。Picosun独特的突破性ALD专业知识可追溯到ALD技术本身的诞生。于1974年在芬兰发明了ALD方法,并在工业上获得了专利。在高质量ALD系统设计方面拥有丰富的经验。高度敬业的Picosun人员拥有无与伦比的ALD经验,并且为ALD的许多专利做出了贡献。
PICOSUN™R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现极佳的均匀性,包括最具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度最小的薄膜层。在最基本的PICOSUN™R系列配置中可以选择多个独立的,完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。
PICOSUN™R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中,就会吸引到企业投资。
PICOSUN®R-200标准
PICOSUN®R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发,例如IC组件,MEMS器件,显示器,LED,激光和3D对象,例如透镜,光学器件,珠宝,硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领导者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的首选工具。敏捷的设计实现了最高质量的ALD薄膜沉积以及系统的最终灵活性,可以满足未来的需求和应用。专利的热壁设计具有完全独立的入口和仪器,可实现无颗粒工艺,适用于晶圆,3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术,即使在最具挑战性的通孔,超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。
PICOSUN®R-200Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态,气态和固态化学物质前体源。与手套箱,粉末室和各种原位分析系统集成,无论您现在的研究领域是什么,或以后可能成为什么样的研究领域,都可以进行高效,灵活的研究,并获得良好的结果。
技术指标
衬底尺寸和类型50–200mm/单片最大可沉积直径150mm基片,竖直放置,10-25片/批次(根据工艺)156mmx156mm太阳能硅片3D复杂表面衬底(使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳)粉末与颗粒(配备扩散增强器)多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品工艺温度50–500°C,可选更高温度(真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60°C)基片传送选件气动升降(手动装载)预真空室安装磁力操作机械手(Loadlock)前驱体液态、固态、气态、臭氧源4根独立源管线,最多加载6个前驱体源对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气导入前驱体瓶内引出重量350kg尺寸(WxHxD))取决于选件最小146cmx146cmx84cm最大189cmx206cmx111cm
选件PICOFLOW™扩散增强器,集成椭偏仪,QCM,RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集成(用于惰性气体下装载)。验收标准标准设备验收标准为Al2O3
工艺
应用领域
客户使用PICOSUN™R系列ALD设备在150mm和200mm(6”和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
材料非均匀性(1σ)
AI2O3(batch)0.13%
SiO2(batch)0.77%
TiO20.28%
HfO20.47%
ZnO0.94%
Ta2O51.00%
TiN1.10%
CeO21.52%
Pt3.41%
咨询:18263262536(微信同号)

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