1:便携式四探针电阻率测试仪 四探针电阻率测试仪 四探针电阻率检测仪 四探针电阻率测定仪 型号：KDK-KDY-1A

概述
便携式电阻测度仪是用来测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。
本仪器按照半导体材料电阻率的国际及国家标准测试方法有关规定设计。
它主要由电器测量部份（主机）及四探头组成，需要时可加配测试架。
为减小体积，本仪器用同一块数字表测量电流及阻率。样品测试电流由高精宽的恒流源提供，随时可进行校准，以确保电阻率测量的准确度。因此本仪器不仅可以用来分先材料也可以用来作产品检测。对1～100Ω•cm标准样片的测量瓿差不超过±3%，在此范围内达到国家标准一级机的水平。
测量范围：
可测量 电阻率：0.01～199.9Ω•cm。
可测方块电阻：0.1～1999Ω/口
当被测材料电阻率≥200Ω•cm数字表显示0.00。
（2）恒流源：
输出电流：DC 0.1mA～10mA分两档
10mA量程：0.1～1mA 连续可调
10mA量程：1mA ～10mA连续可调
恒流精度：各档均优于±0.1%
适合测量各种厚度的硅片
（3） 直流数字电压表
测量范围：0～199.9mv
灵敏度：100μv
准确度：0.2%（±2个字）
（4） 供电电源：
AC：220V ±10% 50/60HZ 功率8W
（5） 使用环境：
相对湿度≤80%
（6） 重量、体积
重量：2.2 公斤
体积：宽210×高100×深240（mm）
（7）KD探针头
压痕直径：30/50μm
间距：1.00mm
探针合力：8±1N
针材：TC




2:·数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号：KDK-LT-100C

为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。                                                      

      该设备是按照国家标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次全国十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。

KDK-LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点：

1、 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。

2、  可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。

3、配备专用软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。

4、配置两种波长的红外光源：

a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。

b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。

5、测量范围宽广

测试仪可直接测量：

a、研磨或切割面：电阻率≥0.3Ω•㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。

b、抛光面：电阻率在0.3～0.01Ω•㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。

寿命可测范围     0.25μS—10ms      

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途