诚信认证:
工商注册信息已核实!领域: | 电子/电器/半导体 | ||
样品: | 纳米级导电,半导体 | 项目: | 表面无损成像 |
方案文件名 | 下载 |
---|---|
Park SmartLitho一种利用AFM光刻技术制作纳米图案的新方法 |
下载此篇方案 |
自原子力显微镜(AFM)[1]发明以来,它被广泛应用到了样品表面无损成像中,其电学、磁学和力学等性能表征也吸引了科研界的巨大兴趣。然而,除此之外,AFM还为局部表面修改和图案制作提供了巨大的潜力,它可以使用过度的悬臂施加力来引发机械划伤,利用铁电转换或通过施加偏压到AFM针尖来氧化表面。局部氧化,也称为“偏压模式AFM纳米光刻”,已广泛用于纳米级导电或半导体表面图案的定制[2,3]。偏压模式AFM纳米光刻为定制图案提供了许多优势:它绕过了光学光刻方法中存在的衍射限制,不需要光学掩模,并且其程序简单明了。通过在导电AFM针尖和基底之间施加偏压,针尖-样品接触区域形成氧化层(图1)。通过控制实验参数,包括施加的AFM针尖偏压、尖端材料/几何形状、扫描速度和湿度,可以利用氧化控制纳米图案。