自原子力显微镜发明以来，原子力显微镜通过在纳米尺度上提供精确、可靠、无损的成像，在材料科学和元件工程中产生了革命性的影响。原子力显微镜被广泛用于纳米技术应用当中，像生物医学可植入驱动器、电池超薄阴极材料、光电探测器和存储器和逻辑电路开关。随着元件尺寸的不断缩小，材料的局部特性测量方式方法在提供精确的

近年来，对电化学过程的理解如电沉积（也称电镀）在各种科学技术中的作用变得非常凸显，包括括微电子、纳米生物系统、太阳能电池、化学等其他广泛应用。〔 1，2〕电沉积是一种传统方法，利用电流通过一种称为电解质的溶液来改变表面特性，无论是化学的还是物理的，使得材料可适合于某些应用。基于电解原理，它是将直流电

导电性测量是一种有效的方法, 可用来描述某些特殊应用中材料的特性与行为，从能量存储和能量转换元件，到分子元件电路以及纳米级半导体元件。导电探针原子力显微镜（CP-AFM）是其中一种相当有用的技术，它可以提供精确的纳米级测量和先进材料如CNTs膜的导电性的相对分布图。在过去的十年中，几种检测被引入来研

铁电材料由于其独特的机电特性和电学特性，在工业上得到了广泛的应用，例如作为致动器、传感器和电容器等 [1], [2]。 如今，研究人员正在研究铁电体对5G等现代通信技术的适用性 [3], 作为光伏电池中的活性层 [4], [5], 等等[6]。铁电性是相变过程中晶体对称性变化的结果。这里，中心离子的

功函数是一种材料特性，可用于区分复合材料中的单一成分或用于区分样品与基体。开尔文探针力显微镜（Kelvin probe force microscopy，KPFM）能利用已知的探针功函数，以纳米分辨率去成像样品表面功函数分布。在这里，我们介绍了Park Systems 研究型原子力显微镜中新开发的边

随着传统场效应晶体管 (FET) 的逐渐规模化，如何克服短沟道效应的不利影响变得越来越重要。在这里，二维 (2D) 材料能够将载流子限制在一个平面内，进而改善静电栅极的控制，并能够进一步扩展摩尔定律。在二维材料中，过渡金属硫化物（TMD）由一层过渡金属M组成，夹在两层硫原子X之间，形成化学式MX2.

利用原子力显微镜进行的自动缺陷复检通过纳米级的分辨率在三维空间中可视化缺陷。因此，纳米级成像设备是制造过程的一个重要组成部分，它被视为当今半导体行业中最理想的技术。      结合原子力显微镜的三维无创成像，使用自动缺陷复查对缺陷进行精确检测和准确分类。&nb

自原子力显微镜（AFM）[1]发明以来，它被广泛应用到了样品表面无损成像中，其电学、磁学和力学等性能表征也吸引了科研界的巨大兴趣。然而，除此之外，AFM还为局部表面修改和图案制作提供了巨大的潜力，它可以使用过度的悬臂施加力来引发机械划伤，利用铁电转换或通过施加偏压到AFM针尖来氧化表面。局部氧化，也

SSRM AFM，用于半导体失效分析的最佳选择Park NX-Hivac上提供的高真空扫描扩展电阻显微镜（SSRM），可实现新一代设备的2D载体轮廓分析，并在高真空条件下测量高分辨率SSRM图像，以提高产品良率。高真空SSRM测量显示出比一般环境条件下更高的精度和分辨率。由于对电流信号具有极高的灵敏

在过去的几十年中，原子力显微镜（AFM）已经深入参与了纳米尺度的研究和开发。虽然已被广泛使用，但对AFM数据的理解有时还是很麻烦，特别是对于新的AFM用户。原子力显微镜对各种力和效应的非凡敏感性使其不仅是一种多功能的研究工具，而且会容易于产生不同的伪影源。这些伪影可能来自于不正确的系统和实验设置，或

光罩是半导体器件制造中用于晶圆纳米图案化光刻过程中的关键部件。光罩选择性地透射或反射光以在目标衬底中产生图案。光罩上的缺陷可能是由吸收层绘制图案时引起的或在光罩处理过程中添加的，这可能会降低晶圆的质量并导致实际元件出现功能缺陷。为了去除这些缺陷，通常会使用各种修复方法，包括电子束、离子、激光和纳米加

本技术说明介绍了新研究型原子力显微镜（AFM）Park FX40。以前，由于复杂的操 作和繁琐的处理使得原子力显微镜难以被广泛接受。而 FX40 通过引入智能扫描算法、全 自动探针操控、全自动系统校准检测和近针操作，以及多样品卡盘，能够帮助用户克服这 些障碍。FX40 以 XE 和 NX 系列 AF

利用原子力显微镜进行的自动缺陷复检通过纳米级的分辨率在三维空间中可视化 缺陷。因此，纳米级成像设备是制造过程的一个重要组成部分，它被视为当今半导体 行业中最理想的技术。  结合原子力显微镜的三维无创成像，使用自动缺陷复查对缺陷进行精确检测和准 确分类。 与时俱进的光刻工艺使得生产的半导体器

Park XE15世界顶级精度及强大功能park原子力显微镜产品特性具备多个特殊功能，是共享实验室处理各类样品，研究院进行多变量实验，失效分析时研究晶片等的不二选择。合理的价格搭配强健的性能设置，使其成为业内性价比最高的大型样品原子力显微镜。

XY扫描器由对称的二维挠曲和高强度压电叠层组成，它最小化的面外运动能提供高度的正交扫描，用最快的响应来完成纳米尺度上精确样品扫描。XY扫描器的每个方向是都装有两个对称的低噪声位置传感器，在最大的扫描范围及大样品扫描时能发挥高效的正交性。

Park NX-Hivac可使故障分析工程师在高真空环境中提高AFM测量的灵敏度和重复性。由于高真空测量比一般环境或干燥的氮气条件下具有更高的精确性，更好的重复性，更少的针尖和样品损伤，用户可以在各种失效分析应用中测量更广泛的信号响应范围，例如扫描扩展电阻显微镜SSRM的掺杂浓度。。

为FA和研究实验室提供精确的原子力显微镜解决方案 介质和基底的表面粗糙度测量 缺陷检测成像和分析 高分辨率电学扫描模式 针对三维结构研究的侧壁测量* 实现高量率的精确且高重复性的测量 非接触模式能够保持针尖锐度，确保表面粗糙度的精度 非接触模式下的快速缺陷成像 实现三维结构测量的解耦XY扫描系统 通

无扫描器弓形弯曲的平直正交XY轴扫描 Park的串扰消除技术不仅改善了扫描器弓形弯曲的缺点，还能够在不同扫描位置，扫描速率和扫描尺寸条件 下进行平直正交XY轴扫描。即使最平坦的样品也不会出现如光学平面,各种偏移扫描等曲率的背景。由此为顾 客在研究中遇到的所有极具挑战性的问题提供高精度的纳米

超高精度和最小化探针针尖变量的亚埃级表面粗糙度测量晶圆的表面粗糙度对于确定半导体器件的性能是至关重要的。对于最先进的元件制造商，芯片制造商和晶圆供应商都要求对晶圆上超平坦表面进行更精确的粗糙度控制

 无扫描器弓形弯曲的平直正交XY轴扫描 Park的串扰消除技术不仅改善了扫描器弓形弯曲的缺点，还能够在不同扫描位置，扫描速率和扫描尺寸条件 下进行平直正交XY轴扫描。即使最平坦的样品也不会出现如光学平面,各种偏移扫描等曲率的背景。由此为 顾客在研究中遇到的所有极具挑战性的问题提供