原子层沉积系统

全球zei专业的原子层沉积系统ALD制造商，十多年来一直致力于ALD核心技术的研发，迄今拥有数十项注册专利在ALD的设计和薄膜制备工艺方面，并长期与全球著名的高校、研究所以及半导体、微电子领域的制造商合作；

原子层沉积技术可沉积材料：

氧化物: Al2O3, ZrO2, HfO2, Ta2O5, SnO2, RuO2, ZnO, SrTiO3等

氮化物: TiN, NbN, TaN, Ta3N5, MoN, WN, TiSiN, SiN等 

单一物质: Si, Ge, Cu, Mo, W, Ta, Ru等 

半导体材料: GaAs, Si, InAs, InP, GaP, InGaP等

原子层沉积系统可以广泛应用于:

半导体领域：晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层（阻止掺杂剂的迁移），有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光(TFEL)元件，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属（MIM）电容器涂层。 

纳米技术领域：中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和憎水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。

基底温度范围:高大800℃；

基片尺寸：2英寸~12英寸，更大尺寸可预订；

1,专业ALD设备制造商,提供专业的用于科研或研发级的ALD/PEALD设备及工艺；
2,可以选择横流式沉积模式、或top flow (showerhead喷淋花伞) 沉积模式或等离子体增强沉积模式； 
3,提供2英寸~12英寸全套专业的原子层沉积系统方案；
4,Loadlock Chamber可快速加载卸载样品；

原子层沉积系统信息由巨力科技有限公司为您提供，如您想了解更多关于原子层沉积系统报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。

注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途