欧洲高性能霍尔效应测量系统，广泛应用于半导体材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究；可对多种重要物理参量如：电阻率、霍尔系数、载流子浓度、迁移率、磁电阻和V-I曲线等测量和分析；

可测试材料:
半导体材料：包括 SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, and HgCdTe,砖石铁,氧体材料;
低阻材料：包括金属、透明氧化物、稀磁半导体器件和TMR材料
高阻材料：包括半导体绝缘材料、GaAs、GaN、CdTe和光电探测器

电流源:
测量范围: 1nA - 10 mA
输出电压: +/- 10V (+/-20V)
输出电阻: typical 10¹³ Ohms
电流分辨率: 25 pA

电压测量：
测量范围: 10 mV - 10V（自动量程选择）
分辨率 : <500nV
输入电阻: > 10¹³ Ohms

磁场范围：0.45T~2T（牛津磁体）；

电阻测量范围: 1x10^-3 Ohm - 1x10⁹ Ohm
电阻率测量范围: 1 x10^-5 Ohm*cm - 1x10⁷ Ohm*cm
载流子浓度范围: 10⁷ cm^-3 - 10²¹ cm^-3

电阻率Rho测量；
霍尔系数R_H测量；
V-I曲线测量；
V_H电压测量；
载流子浓度测量；
载流子迁移率测量；
载流子形式测量（n or p）;
磁电阻等；

独有的非线性电压补偿功能；
磁场大小可调；
自动磁场校准；
低温选件：77K；
Van der Pauw和桥式barshape测量；

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途