反射高能电子衍射仪（RHEED）

Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED) has become widely known as an essential method for real-time observation of crystal growth. RHEED can be used to analyze film surfaces in either a static mode for existing materials or dynamically as film growth evolves. This makes RHEED an exceptionally valuable tool for investigating structures in Molecular Beam Epitaxy (MBE).

In general, RHEED is a method for investing the structure of crystal surfaces. A high-energy electron beam(10-30KeV) is directed at the sample surface at a low incident angle(1-2°).The electrons are diffracted by the crystal structure of the sample being investigated and then projected on a fluorescent screen mounted opposite the electron gun. The characteristic pattern of the impinging electrons is a series of streaks. The distance between the streaks is an indication of the surface lattice cell size.

RHEED系统可以实时监控表面结构，所以可以被广泛应用于以下领域：

• 结晶学(Crystallography)
• 超导体(Superconductors)
• 分子束外延生长Molecular beam epitaxy (MBE)
• 化学气相沉积Chemical vapor deposition
• 激光脉冲沉积（PLD）、有机分子化学气相沉积(MOCVD)
• 冶金(Metallurgy)
• 薄膜制备(Thin film deposition)
• 涂层(Coatings)

30KeV Electron Gun:
Beam Spot Size: 90micro meter dia. Maximum
Filament: 0.1mm dia. Tungsten Wire (hairpin-shaped)
Wehnelt: Self Bias
Focus Lens: Air Core Solenoid Coil Lens
Deflection Lens: Troidal Coil Lens
Axial Alignment Mechanism: Alignment for Filament and Wehnelt
Insulation Voltage: DC30KV
Working Pressure: <10-4Pa to 10-9Pa
Max. Bakeout Temperature: 200 degrees C
Mounting Flange: ICF70
Dimensions: 100mm dia. x 401mm long
(501mm long with a connector inserted) 

30KeV E-GUN POWER SUPPLY:
Acceleration Voltage: 0 to -30KeV Constant Voltage Supply
( Ripple 0.03% Maximum)
Beam Current: 0 to 160 micro ampere
Filament Voltage: 0 to 5V Constant Voltage Supply
(Ripple 0.05% Maximum)
Filament Current: Max. 2A
Deflection Lens Supply: 1A Constant Current Source(plus or minus1V)
(Ripple 0.05% Maximum)
Focus Lens Supply: 0 to 1.5A Constant Current Source(0 to 22V)
(Ripple 0.05% Maximum)
Input Power: 200V, 220V, 230V, 240V
Dimensions: 480mm x 199mm x 500mm (cable +100mm)
Safety Feature: High Voltage Interlock
Others: RoHS-ready 

1. 电子枪部分
RHEED电子枪是专门为进行衍射研究所设计的电子光学系统，其能量范围从10到30keV。通过结合静电和磁部件，保证了电子枪具有高亮度、小斑点、低分散和极低放气率的特征。电子枪可以完全安装在腔体外面，可以原位保养，可以烘烤。如果配备了差分抽气系统，还可以在高压环境下使用。

2. 控制电源部分
设计紧凑的提供30KeV能量的电子枪电源控制部分，由zei先进的电子元件制造。电子枪的设置参数，如能量、灯丝电流、束流强度等都可以数字形式在显示器上显示，而且可以通过一个简洁的控制面板远程控制调节束流强度、聚焦位置等。系统具有自我诊断能力，可以快速全面地对RHEED系统进行检查。

3．电子束光阑
通过电子束光阑可以控制束流的开关，这样可以保证样品上极低的电子负荷。光阑开关信号也可同时被外部信号触发，这样就使得RHEED可以在有干扰磁场下使用，并可以用来研究旋转样品。

4. 电子束摇摆
为了做RHEED分析，电子束必须以掠角方式入射样品。 独特的电子束摇摆特征，允许精确调节和变化电子束入射角度，而不用移动样品。这个特征在对固定位置的样品进行分析测试时是非常有用的

5．差分抽气系统
通常的电子枪是为在如10-4 torr 这样较高压力条件下工作设计的，但是这样必然导致灯丝寿命的缩短。带有差分抽气系统选项的RHEED系统， 保证了可以在高压和有反应气体存在的环境下进行日常的操作。对灯丝部分的高效抽气，使得RHEED系统同其他系统相比有无与伦比的灵活性。

6. 计算机控制
RHEED系统可以完全由计算机来控制。电子枪控制部分包括一个界面模块和一个软件包，这保证了RHEED的使用灵活性，和可重复性。 用户自己设定的参数可以被保存并调入，通过电子束光阑可以控制电子束的开关，使用电子束摇摆特征可以调节电子束入射角度。

7. 荧光屏
提供各种尺寸的荧光屏，它们有非常高的空间分辨率和极好的对比度。荧光屏上的镀铝保护涂层确保荧光屏有非常好的电接触特性，并可以屏蔽掉从真空腔来的一些游离光线，从而提高RHEED图像的对比度。

8．数据采集和分析系统
RHEED Vision 是一套可以同现存的各种RHEED系统配套使用的功能非常强大的数据采集软件， 它可以同时进行图像处理和实时数据分析。并且有很多可选的数据缩减程序。另外还提供其它的硬件控制模块，如锁相外延生长，快门控制，激光脉冲触发器等。

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途