使用离子束制备SEM样品：徕卡EM TIC 3X三离子束研磨仪

如今，离子束蚀刻技术是应用最广泛的电子显微镜样品制备方 法。在蚀刻过程中，高能氩离子束轰击样品，并根据其应用领域 调整 离子束能量和切割角度。 在制备扫描电子显微镜样品时，离子束蚀刻可改善或修改样品 表面质量。 首先，离子束刻蚀能够清洁、抛光或增加表面的衬度。经离子束 处理的样品表面足以适用于各种灵敏的表面性能测试方法（如 EBSD）。 另外，离子束刻蚀也可以通过斜面切割制备样品的横截面。 徕卡EM TIC 3X是一款离子束研磨仪，用于制备扫描电子显微镜 样品。可以制备样品的横截面以及大面积表面。 样品的横截面还可以使用低能离子束再次处理。该处理过程既 可以清洗横截面，也能增强其衬度。 另外，EM TIC 3X可以通过离子束抛光工艺改进样品的机械抛光 表面。样品表面的最大离子束制备直径为25mm，最大样品直径 为38mm。 离子束抛光可以清洗、抛光样品表面，并增强其衬度，可以在一 台仪器中完成所有类型的扫描电子显微镜样品制备流程。