System 100 -等离子刻蚀与沉积设备该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并......
针对HBLED苟刻的化学环境要求，PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的设计，可以在直径为200mm的晶片上进行快速和均匀的刻蚀。牛津仪器一直努力......
工艺一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子：低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS ，微流体技术和光子技术用于激光器......
zei新的单晶片刻蚀技术-PlasmaPro100 Sapphire。牛津仪器致力于固态照明的技术革新，凭着在HBLED相关材料方面经验丰富，设备使用成本控制和......
主要特点可处理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）预制和试生产的能力选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该Plasmalab......
在远程PECVD工艺中，反应气体和任何惰性气体的等离子体均是远程产生。活性物质被提取并输送到一个无等离子体的区域，在那里它们被混合并与其他反应物发生反应，形成前......
根据等离子体的类型，PECVD反应器被分为直接或远程系统。 在直接PECVD工艺中，所有反应气体（SiH4、Cl2、SF6）和任何惰性气体（Ar）的......
等离子体中的电子温度驱动化学反应，而不是靠中性气体温度，这使得塑料或纺织物等材料的处理成为可能，因为这些材料将无法在CVD温度下存在。这种工艺最适合在不同基片上......
在化学气相沉积（CVD）方法中，气相成分与基片表面反应，使得材料沉积。该过程受到基片温度的限制，它是促进表面化学反应的唯一能量来源。因为反应物是以等离子体的形式......
牛津仪器PlasmaPro 100 PECVD等离子体增强化学气相沉积系统 System 100 -等离子刻蚀与沉积设备该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀......
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