我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS......
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—......
PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 先进封装以及纳米技术市场的......
Ionfab 300 IBD客户选择我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量，致密和表面光滑的沉积薄膜。离子束技术提供了一种多样的刻蚀和沉积的方法，并可......
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极，能够在很宽的温度范围内进行工艺，具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力，该工艺模块可提供具有高度......
品牌:牛津仪器型号:PlasmaPro 100 CobraPlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极，能够在很宽的温度范围内进行工艺，具有2......
牛津仪器等离子体技术公司宣布与沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）核心实验室达成一项重要协议。根据该协议，KAUST将受益于增加两个牛津仪器Plasma......
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极，能够在很宽的温度范围内进行工艺，具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力，该工艺模块可提......
在数据通信和传感器等高增速市场的需求推动下，InP基工艺处理能力的先进化和自动化程度均在不断提高。与此同时，业界还希望InP晶圆处理尺寸能够增加至6英寸以提高单......
牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra具备刻蚀、沉积和热生长模块选项SiC市场化的阻碍因素......
Ionfab300Ionfab 300 IBD客户选择我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量，致密和表面光滑的沉积薄膜。离子束技术提供了一种多样的刻蚀......
品牌:牛津仪器型号:Ionfab300产地:欧洲Ionfab 300 IBE离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式......
Ionfab 300 IBE离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际......
品牌:牛津仪器型号:Ionfab300产地:欧洲Ionfab 300 IBD客户选择我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量，致密和表面光滑的沉积薄膜。......
牛津仪器Ionfab300刻蚀和沉积设备Ionfab 300 IBD客户选择我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量，致密和表面光滑的沉积薄......
PlasmaPro100 EstrelasPlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统......
牛津仪器科技（上海）有限公司提供的牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备，型号为PlasmaPro100 Estrelas的牛津仪器半导体行......
PlasmaPro 100 Estrelas平台旨在确保覆盖MEMS，先进封装和纳米技术的广泛应用，从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀......
品牌:牛津仪器型号:PlasmaPro100 Estrelas产地:欧洲PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方......
牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位......
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