领域: | 地矿/钢铁/有色金属 | ||
样品: | 多晶硅 | 项目: | 解决方案 | LabMS 3000 ICP-MS测定电子级多晶硅中基体金属杂质含量 |
参考: | GB∕T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 |
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解决方案 | LabMS 3000 ICP-MS测定电子级多晶硅中基体金属杂质含量 |
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前言
电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响下游晶圆制造产品质量,所以对其金属杂质含量的控制至关重要。
本实验参照《GB∕T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》,采用LabMS 3000s ICP-MS测试电子级多晶硅中基体金属杂质含量。LabMS 3000s采用的加强型离子透镜和偏转技术,结合高性能冷等离子技术和新一代碰撞反应池技术,可有效消除干扰,从而获得更低的检测限、背景等效浓度和准确的超痕量分析结果,保证数据质量。
1.实验
1.1 仪器设备
EH20B 微控数显电热板,莱伯泰科
LabMS 3000s 电感耦合等离子体质谱仪,莱伯泰科