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共聚焦拉曼逐层分析半导体4H-SiC载流子浓度和厚度信息
发布时间：
2020-08-07 14:00
来源：
HORIBA科学仪器事业部
| 领域： | 电子/电器/半导体 | ||
| 样品： | 半导体4H-SiC | 项目： | 载流子浓度和厚度信息 |
| 参考： | Depth Profiling of Ion-Implanted 4H–SiC Using Confocal Raman Spectroscopy | ||
| 方案文件名 | 下载 |
|---|---|
共聚焦拉曼逐层分析半导体4H-SiC载流子浓度和厚度信息 |
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1、利用共聚焦拉曼进行分析时，不同的激发光可以检测不同浓度的载流子信息，比如325 nm激光辐照可以检测低浓度载流子信息；
2、同样是在325 nm激光辐照下，样品内产生的光生载流子浓度会随着离子改性层中铝离子注入剂量的增加而减弱；
3、这些都表明了共聚焦拉曼在载流子浓度表征方面的便利与优势。
