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Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于提升碳化硅微光学元件的品质

发布时间: 2020-11-23 15:58 来源:伯东企业(上海)有限公司

某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件, 降低碳化硅微光学元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对其进行优化.

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:

基板尺寸

< Ф8 X 1wfr

样品台

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

离子源

16cm
考夫曼离子源

均匀性

±5% for 4”Ф

硅片刻蚀率

20 nm/min

温度

<100

 

该制造商采用的 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数:

 离子源型号

 离子源 KDC 160 

Discharge

DC 热离子

离子束流

>650 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

16 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

2-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

25.2 cm

直径

23.2 cm

中和器

灯丝

* 可选: 可调角度的支架

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 配的是 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蚀室的真空度.

其产品优势:

1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵,用于 N2 时的最高抽速可达 685 l/s

2.最佳真空性能,最低功耗

3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 400

4.可在任何方向安装

5.带有集成型水冷系统以保证最大气体流量

6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接

7.广泛的配件扩展使用范围

 

运行结果:

1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm.

2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.


若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
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M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
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www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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