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伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 用于镀制 TiN薄膜

发布时间: 2020-11-17 14:33 来源:伯东企业(上海)有限公司

传统磁控溅射制备工艺存在一个突出的问题, 当离子能量较低时,在溅射沉积过程中会发生 “遮蔽效应”, 会使薄膜结构疏松, 产生孔隙等缺陷, 这直接影响着薄膜的性能.

 

为提高制备薄膜的致密度, 减少结构缺陷, 提高耐蚀性能, 国内某光学薄膜制造商采用伯东 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 140 用于磁控溅射镀制 TiN 薄膜.

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:

型号

RFICP 140

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>600 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

14 cm Φ

离子束

聚焦

流量

5-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

24.6 cm

直径

24.6 cm

中和器

LFN 2000

客户采用离子源辅助磁控溅射镀膜技术在 304 不锈钢和 P 型(100)晶向硅片上制备TiN纳米薄膜.

 

推荐理由:

聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

 

运行结果:

1. 通过KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 140 溅射作用将优先形成的遮蔽效应, 制备的薄膜具有较高致密度.

2. 减少结构缺陷

3. 提高耐蚀性能

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵检漏仪质谱仪真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
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