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今晚报告 | 通过大束流等离子FIB-SEM获得高通量且无伪影的样品表征

发布时间: 2022-04-26 11:05 来源:TESCAN(中国)
:2022-04-26
:2022-04-26
:线上
:线上
:顾女士
:+862164398570
:
:market-china@tescan.com



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【会议介绍】


大家熟知的Wiley Analytical Science将举办第四届WAS线上春季研讨会,为期2周,将汇集全球观众和来自生物分析化学,药物研究,材料科学,实验室自动化和相关学科领域的专家,进行精彩演讲。


TESCAN有幸受邀作技术报告。


我们都知道,使用 FIB-SEM制备横截面的标准做法是:首先使用大束流快速去除材料,然后降低 FIB 束流以获得更好的离子束束斑,最终获得质量更好的截面。

然而,降低截面抛光的最大束流会使制备过程更长。对于几十微米的小横截面,这种方法是可以接受的。但是,随着抛光横截面积的增大,分析时间会大幅增加因此,该方法不适用于制备数百微米大小的横截面。为了克服大横截面的这一限制,引入等离子 FIB,相比传统 Ga FIB-SEM,它可实现更大的束流。


等离子 FIB-SEM 为样品表征提供了几个优势:


  • 它的高束流离子束能够实现高的材料溅射速率,从而能够有效地制备大沟槽或横截面;


  • 等离子 FIB 还可用于大面积抛光,更显著地体现样品特征并提供关于样品在结构、成分相关联的详细信息。这有助于更完整的揭示材料分布,获得更详尽的统计信息,由此将微观尺度与纳米尺度样品表征联系起来。


采用多项技术用于改进大束流等离子FIB实现更大尺度的材料表征。




在本次网络研讨会中,我们将介绍典型的等离子 FIB 横截面加工流程并讨论大束流抛光方法。期间,将展示 TESCAN 的 TRUE X-Sectioning和摇摆样品台,其目的是在使用高束流进行最终抛光时抑制伪影的产生,并提高横截面的表面质量。最后,我们将展示如何通过等离子 FIB-SEM,不仅能加速横截面制备,还能改进 3D FIB-SEM 三维重构分析,以此更好地了解您的材料。


即刻扫描下方二维码,听3D材料表征分析专家:Martin Slama 带给我们的精彩介绍。


【报告时间】


4月26号 星期二
23:00 - 24:00 (北京时间)

注意:注册时,请选择以下会议场次:

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报名方式



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【演讲人】



Martin Sláma
FIB-SEM产品经理


Martin Sláma任职于FIB-SEM产品经理。其在双束扫描电镜领域的工作已超过6年;期间,主要专研如何通过等离子FIB和镓离子FIB进行传统及先进的TEM样品制备,还有三维重构进行材料表征。在加入TESCAN公司之前,Martin曾在布尔诺理工大学、中欧技术研究所和阿斯顿大学从事新材料开发和表征的工作。






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