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PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现极佳的均匀性,包括最具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度最小的薄膜层。在最基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的,完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中,就会吸引到企业投资。
Picosun独特的突破性ALD专业知识可追溯到ALD技术本身的诞生。于1974年在芬兰发明了ALD方法,并在工业上获得了专利。在高质量ALD系统设计方面拥有丰富的经验。高度敬业的Picosun人员拥有无与伦比的ALD经验,并且为ALD的许多专利做出了贡献。
敏捷的设计实现了最高质量的ALD薄膜沉积以及系统的最终灵活性,可以满足未来的需求和应用。专利的热壁设计具有完全独立的入口和仪器,可实现无颗粒工艺,适用于晶圆,3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术,即使在最具挑战性的通孔,超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态,气态和固态化学物质前体源。与手套箱,粉末室和各种原位分析系统集成,无论您现在的研究领域是什么,或以后可能成为什么样的研究领域,都可以进行高效,灵活的研究,并获得良好的结果。
应用领域
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm(6”和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
材料
非均匀性(1σ)
AI2O3 (batch)
0.13%
SiO2 (batch)
0.77%
TiO2
0.28%
HfO2
0.47%
ZnO
0.94%
Ta2O5
1.00%
TiN
1.10%
CeO2
1.52%
Pt
3.41%
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