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产品描述 系统配置:编号设备配置具体指标1晶片尺寸8",使用载盘可以适用于2", 3", 4", 6" 晶圆, 以及小片样品)2等离子源PTSA ICP等离子源13.56 MHz, 功率1200 W集成自动匹配网络3射频偏置电源13.56 MHz, 600 W4电极温控-30?C ~ 250?C (低温可选-150 ?C)5反应腔本底真空≤ 1 x 10-6 mbar6气体管路标准气柜***多可以配置16路气体管道。(可以增加气柜)7PCWindows 7 ProfessionalSENTECH高级等离子设备操作软件8预真空室配置。9He晶片冷却配置。10机械钳配置。11深硅刻蚀典型指标- 刻蚀速率: 2~5 ?m/min- 选择比(SiO2): 90:1 特性:l 全自动/手动过程控制l Recipe控制刻蚀过程l 智能过程控制,包括跳转、循环调用recipel 多用户权限设置l 数据资料记录l LAN网络接口l Windows NT 操作软件 选项:l 增加气路l PTSA源石英窗口l 在线监测窗口,穿过PTSA源l 循环冷却器,用于下电极温度控制 (-30?C to 80?C)l 高密度等离子体磁性衬板l 对等离子源和磁性衬板的外部升高装置l Cassette到cassette操作方式l 穿墙式安装方式l 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统
系统配置:
编号
设备配置
具体指标
1
晶片尺寸
8",使用载盘可以适用于2", 3", 4", 6" 晶圆, 以及小片样品)
2
等离子源
PTSA ICP等离子源
13.56 MHz, 功率1200 W
集成自动匹配网络
3
射频偏置电源
13.56 MHz, 600 W
4
电极温控
-30?C ~ 250?C (低温可选-150 ?C)
5
反应腔本底真空
≤ 1 x 10-6 mbar
6
气体管路
标准气柜***多可以配置16路气体管道。(可以增加气柜)
7
PC
Windows 7 Professional
SENTECH高级等离子设备操作软件
8
预真空室
配置。
9
He晶片冷却
10
机械钳
11
深硅刻蚀典型指标
- 刻蚀速率: 2~5 ?m/min
- 选择比(SiO2): 90:1
特性:
l 全自动/手动过程控制
l Recipe控制刻蚀过程
l 智能过程控制,包括跳转、循环调用recipe
l 多用户权限设置
l 数据资料记录
l LAN网络接口
l Windows NT 操作软件
选项:
l 增加气路
l PTSA源石英窗口
l 在线监测窗口,穿过PTSA源
l 循环冷却器,用于下电极温度控制 (-30?C to 80?C)
l 高密度等离子体磁性衬板
l 对等离子源和磁性衬板的外部升高装置
l Cassette到cassette操作方式
l 穿墙式安装方式
l 干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统
德国SENTECH刻蚀机RIE刻蚀ICP刻蚀 SI500 ,SI500
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