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热电性能分析系统 ZEM-5
说明:此产品售前技术交流服务和售后技术服务由北京柯锐欧科技负责,确保国内用户享受到最专业的技术支持!
技术特点:
适用于研究开发各种热电材料和薄膜材料,提高测量精度
温度检测采用C型热电偶,最适合测量Si系列热电材料(SiGe, MgSi等) *HT型
真正可测基板上的纳米级薄膜(TF型)
最大可测10MΩ高电阻材料
标准搭载欧姆接触自我诊断程序并输出V/I图表
基于日本工业标准JIS (热电能JIS 电阻率JIS R 1650-2)
ZEM-5HT
ZEM-5HR
ZEM-5LT
ZEM-5TF
特 点
高温型
高电阻型
最大电阻:10MΩ
低中温型
薄膜型
可测在基板上形成的热电薄膜
温度范围
RT-1200℃
RT-800℃
-150℃-200℃
RT-500℃
样品尺寸
直径或正方形:2 to 4 mm2 ;
长度3 ~ 15mm
成膜基板:宽2-4mm,厚0.4-12mm,长20mm
薄膜厚度:≥nm量级
薄膜样品与基板要求绝缘
控温精度
±0.5K
测量精度
塞贝克系数:<±7%; 电阻系数:<±7%
测量原理
塞贝克系数:静态直流电; 电阻系数:四端法
测量范围
塞贝克系数:0.5μV/K_25V/K; 电阻系数:0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ
分辨率
塞贝克系数:10nV/K; 电阻系数:10nOhm
气 氛
减压He
热电性能分析系统 ZEM-5,ZEM-5
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