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产品名称:
DOI(金刚石薄膜Diamond?on?Oxide)
技术参数:
基底尺寸:dia4"x0.5mm
Si晶向:<100>±0.5°
绝缘层:SiO2
薄膜厚度:2um
氧化层:1um
电阻率:10E3 ~ 10E4 ohm-cm
标准包装:
1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒
金刚石薄膜(高电阻DOI),金刚石薄膜(高电阻DOI)
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